MGSF3441VT1 PT 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-0.3A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.078 @-3A,-4.5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.45V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
2W |
| Description & Applications |
low Rds small-signal MOSFETs TMOS single P-CHANNEL field effect transistors Low Rds provides higher efficienccy and extends battery life miniature TSOPE6 surface mount package saves board space |
| 描述与应用 |
低Rds小信号MOSFET TMOS单P沟道 场效应晶体管 低RDS提供了更高的的efficienccy，并延长电池寿命 TSOPE6微型表面贴装封装，节省了电路板空间 |
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