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FDY300NZ
 型号：  FDY300NZ
 标记/丝印/代码/打字：  CHD
 厂家：  FAIRCHILD
 封装：  SOT-523
 批号：  
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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FDY300NZ CHD 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current 600mA/0.6A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.70Ω/Ohm 600mA,4.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.6-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 625mW/0.625W
Description & Applications Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET General Description This Single N-Channel MOSFET has been designed using Fairchild Semiconductor?s advanced Power Trench process to optimize the RDS(ON) @ VGS = 2.5v. · ESD protection diode (note 3) · RoHS Compliant
描述与应用 单N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET 概述 这单N沟道MOSFET已设计 采用飞兆半导体先进的功率？ 海沟过程优化的RDS（ON）@ VGS=2.5V。 ·ESD保护二极管（3） ·符合RoHS标准
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