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FDC5614P
 型号：  FDC5614P
 标记/丝印/代码/打字：  564C
 厂家：  FAIRCHILD
 封装：  SOT-163/SOT23-6
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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FDC5614P 564C 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage -20V
最大漏极电流Id Drain Current -3A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 135m?@ VGS = -4.5V, ID = -2.7A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -1~-3V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.6W
Description & Applications 60V P-Channel Logic Level Power Trench MOSFET General Description This 60V P-Channel MOSFET uses Fairchild’s high voltage Power Trench process. It has been optimized for power management applications. Applications ? DC-DC converters ? Load switch ? Power management Features ? Fast switching speed ? High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
描述与应用 60V P沟道逻辑电平功率沟槽MOSFET 概述 60V P沟道MOSFET采用飞兆半导体的高电压功率沟槽过程。它已被优化电源管理应用。 应用 ?DC-DC转换器 ?负荷开关 ?电源管理 特点 ?开关速度快 ?高性能沟道技术极低的RDS（ON）
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