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BUK583-60A
 型号:  BUK583-60A
 标记/丝印/代码/打字:  53-60A
 厂家:  NXP/PHILIPS
 封装:  SOT-223/SC-73/TO261-4
 批号:  05+
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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BUK583-60A 53-60A 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current 3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.10Ω/Ohm @3.2A,5V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.25W
Description & Applications 20V, 3.0A, RDS(ON)= 72mW @VGS = 4.5V. RDS(ON)= 110mW @VGS = 2.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON) Rugged and reliable. SOT-23 package.
描述与应用 20V,3.0A, RDS(ON)=72MW@ VGS= 4.5V。 RDS(ON)=110mW的@ VGS=2.5V。 高密度电池设计极低的RDS(ON) 坚固,可靠。 SOT-23封装
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