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BUK583-60A 53-60A 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
3A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.10Ω/Ohm @3.2A,5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1.2V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.25W |
| Description & Applications |
20V, 3.0A, RDS(ON)= 72mW @VGS = 4.5V. RDS(ON)= 110mW @VGS = 2.5V. High dense cell design for extremely low RDS(ON) Rugged and reliable. SOT-23 package. |
| 描述与应用 |
20V，3.0A， RDS（ON）=72MW@ VGS= 4.5V。 RDS（ON）=110mW的@ VGS=2.5V。 高密度电池设计极低的RDS（ON） 坚固，可靠。 SOT-23封装 |
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在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| buk107-50dl |
10750 |
NXP/PHILIPS |
09+rohs |
SOT-223/SC-73/TO261-4 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BUK107-50DL |
10750L |
NXP/PHILIPS |
05+ |
SOT-223/SC-73/TO261-4 |
20 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BUK127-50DL |
127DL |
NXP/PHILIPS |
09NOPB |
SOT-223/SC-73/TO261-4 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BUK142-06A |
42-06A |
NXP/PHILIPS |
05+ |
SOT-223 |
25 |
未分类 |
查看 |
| BUK483-60A |
43-06A |
NXP/PHILIPS |
05+ |
SOT-223/SC-73/TO261-4 |
300 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BUK583-60A |
53-60A |
NXP/PHILIPS |
05+ |
SOT-223/SC-73/TO261-4 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BUK481-100A |
41-10A |
NXP/PHILIPS |
00+ |
SOT-223/SC-73/TO261-4 |
4000 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BUK127-50DL |
127DL |
NXP/PHILIPS |
09+rohs |
SOT-223/SC-73/TO261-4 |
0 |
场效应管FET |
查看 |
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