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BUK483-60A
 型号:  BUK483-60A
 标记/丝印/代码/打字:  43-06A
 厂家:  NXP/PHILIPS
 封装:  SOT-223/SC-73/TO261-4
 批号:  05+
 库存数量:  300
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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BUK483-60A 43-06A 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 30V
最大漏极电流Id Drain Current 3.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.10Ω/Ohm 3.2A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 2.1-4.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.8W
Description & Applications N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mount applications. The device is intended for use in Ptot Total power dissipation 1.5 W automotive and general purpose Tj Junction temperature 150 ?C switching applications
描述与应用 N沟道增强型场效应功率晶体管在 塑料信封适合表面贴装应用。该设备是为了在P合计使用 总功耗为1.5 W 汽车和通用TJ 结温150?C 开关应用
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