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BSH112
 型号：  BSH112
 标记/丝印/代码/打字：  WK1
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  06NOPB65RM
 库存数量：  653000
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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BSH112 WK1 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 15V
最大漏极电流Id Drain Current 300mA/0.3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation 830mW/0.83W
Description & Applications TrenchMOS? technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount package Gate-source ESD protection diodes
描述与应用 开关速度非常快 逻辑电平兼容 超小型表面贴装封装 门源的ESD保护二极管
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