BSH108 WK2 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
30V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
1.9A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
|
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
|
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
830mW/0.83W |
| Description & Applications |
N-channel enhancement mode ?eld-effect transistor Description N-channel enhancement mode ?eld-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS?1 technology. Product availability: FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA ? Very low threshold voltage VDS = 20 V ? Fast switching ? Logic level compatible ID = 1.05 A ? Subminiature surface mount package |
| 描述与应用 |
N沟道增强型场效应晶体管 描述 N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用 的TrenchMOS?1技术。产品可用性： 特点符号快速参考数据 ?非常低阈值电压VDS= 20 V ?快速开关 ?逻辑电平兼容ID=1.05 ?超小型表面贴装封装 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
