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BSH103 J3 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
850mA/0.85A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.4Ω/Ohm @500mA,4.5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
DMOS Transistor (N-Channel) FEATURES ? Very low threshold ? High-speed switching ? No secondary breakdown ? Direct interface to C-MOS, TTL etc. |
| 描述与应用 |
DMOS晶体管（N沟道） ?非常低门槛 ?高速开关 ?无二次击穿 ?直接连接到C-MOS，TTL |
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在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| BSH103 |
J3 |
NXP/PHILIPS |
06NOPB |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BSH103 |
J3 |
NXP/PHILIPS |
05+ROHS |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BSH105 |
PJ5 |
NXP/PHILIPS |
04+ROHS |
SOT-23/SC-59 |
2000 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BSH105 |
PJ5 |
NXP/PHILIPS |
05+04+ROHS2600 |
SOT-23/SC-59 |
8142 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BSH107 |
AO |
NXP/PHILIPS |
05+ |
SOT-163/TSOP-6/SC-74 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BSH107 |
AO |
NXP/PHILIPS |
05+ |
SOT-163/TSOP-6/SC-74 |
15900 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BSH108 |
WK2 |
NXP/PHILIPS |
07NOPB |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BSH108 |
WK2 |
NXP/PHILIPS |
07NOPB |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
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