BFR53 N1 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
18V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
10V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
50mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
2GHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
25 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
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| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
250mW/0.25W |
| Description & Applications |
NPN 2 GHz wideband transistor FEATURES ? Very low intermodulation distortion ? Very high power gain. APPLICATIONS ? Thick and thin-film circuits. DESCRIPTION NPN wideband transistor in a plastic SOT23 package. |
| 描述与应用 |
2 GHz的宽带晶体管NPN 特点 ?非常低的互调失真 ?非常高的功率增益。 应用 ?厚薄膜电路。 说明 NPN宽带晶体管在一个塑料 SOT23封装。 |
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