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3SK182 EI 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
50MA |
源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
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开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
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耗散功率Pd
Power Dissipation |
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Description & Applications |
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描述与应用 |
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技术文档PDF下载 |
在线阅读 |
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相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
3SK181 |
EJ5 |
SANYO |
05+ |
SOT-143/CP4 |
1300 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
3SK181 |
EJ5 |
SANYO |
05+ |
SOT-143/CP4 |
3000 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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3SK182 |
EI |
HITACHI |
05+ |
SOT-143/MPAK-4 |
910 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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3SK184 |
3RQ |
Panasonic |
05+ |
SOT-143 |
0 |
场效应管FET-MESFET-N沟道MESFET N-Channel |
查看 |
3SK184-r |
3RR |
Panasonic |
05+ |
SOT-143 |
0 |
场效应管FET-MESFET-N沟道MESFET N-Channel |
查看 |
3SK186F1 |
FI |
HITACHI |
05+ |
SOT-143/MPAK-4 |
2600 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
3SK186FI |
FI |
HITACHI |
05+ |
SOT-143/MPAK-4 |
18000 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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