3SK186F1 FI 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
12V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
10V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
35mA |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
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| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.5--0.8V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
100mW/0.1W |
| Description & Applications |
Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET Features Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF TV tuner RF amplifier |
| 描述与应用 |
硅N沟道双栅MOS FET 特性 硅N沟道双栅MOS FET UHF电视调谐器RF放大器 |
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