2SK2211 2M 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
1A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.35Ω/Ohm @500mA,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.8-2.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
Silicon MOS FETs (Small Signal) Silicon N-Channel MOS FET For switching Features Silicon N-Channel MOS FET For switching Low ON-resistance RDS(ON) High-speed switching Mini-power type package, allowing downsizing of the sets and automatic insertion through the tape/magazine packing |
| 描述与应用 |
硅MOS场效应管（小信号） 硅N沟道MOS FET开关 特性 硅N沟道MOS FET 用于开关 低导通电阻RDS（ON） 高速开关 小功率型封装，允许瘦身套 通过自动插入磁带/盒包装 |
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