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型号： |
2SK1958 |
| 标记/丝印/代码/打字： |
G21 |
| 厂家： |
NEC |
| 封装： |
SOT-323/SC-70 |
| 批号： |
05 |
| 库存数量： |
3000 |
| 所属分类： |
场效应管FET
MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
| 技术文档PDF： |
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2SK1958 G21 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
16V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
7V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
100mA/0.1A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
5Ω/Ohm @10mA,4V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.5-1.1V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING The 2SK1958 is an N-channel vertical MOS FET. Because it can be driven by a voltage as low as 1.5 V and it is not necessary to consider a drive current, this FET is ideal as an actuator for low-current portable systems such as headphone stereos and video cameras. Features MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Gate can be driven by 1.5 V Because of its high input impedance, there’s no need to consider drive current Since bias resistance can be omitted, the number of components required can be reduced |
| 描述与应用 |
MOS场效应晶体管 N沟道MOS FET高速开关 2SK1958是一个N沟道垂直MOS FET。因为 它可以由一个电压驱动低至1.5 V，这是不 必要考虑驱动电流，这FET是理想的作为 执行器的低电流的便携式系统，如耳机 音响和摄像机。 特性 MOS场效应晶体管 栅极可以由1.5 V驱动 由于其高输入阻抗就没有必要考虑驱动电流 由于偏置电阻可以省略，可以减少所需的部件数量 |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| 2sk1950 |
k1950 |
SANYO |
05+ |
TO-252/TP-FA |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| 2SK1954 |
K1954 |
NEC |
05+ |
TO-252/D-PAK |
300 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| 2SK1958 |
G21 |
NEC |
05 |
SOT-323/SC-70 |
3000 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| 2SK1958 |
G21 |
NEC |
05+NOPB200 |
SOT-323/SC-70 |
450 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| 2SK1959 |
NQ |
NEC |
05+ |
SOT-89/SC-62 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| 2SK1959 |
NQ |
NEC |
05+NOPB450 |
SOT-89/SC-62 |
500 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
|
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