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2sk1950
 型号:  2sk1950
 标记/丝印/代码/打字:  k1950
 厂家:  SANYO
 封装:  TO-252/TP-FA
 批号:  05+
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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2sk1950 k1950 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.2Ω/Ohm @2A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0.5-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 10W
Description & Applications Silicon N-Channel MOS FET High speed power switching Features Silicon N-Channel MOS FET High speed power switching application Low on-resistance High speed switching Low drive current 2.5V gate drive device can be driven from 3 V source Suitable for Switching regulator, DC - DC converter Avalanche ratings
描述与应用 硅N沟道MOS FET 高速功率开关 特性 硅N沟道MOS FET 高速功率开关应用 低导通电阻 高速开关 低驱动电流 2.5 V栅极驱动器用3V电源驱动 适用于开关稳压器,直流 - 直流转换器 雪崩等级
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
2sk1950 k1950 SANYO 05+ TO-252/TP-FA 0 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
2SK1954 K1954 NEC 05+ TO-252/D-PAK 300 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看
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