2SK1954 K1954 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
180V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
4A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.52Ω/Ohm @2A,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
2.0-4.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE Features MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE Low on-state resistance Low Ciss Built-in G-S gate protecion diode High avalanche capability ratings |
| 描述与应用 |
MOS场效应功率晶体管 N沟道功率MOS FET工业用途 特性 MOS场效应功率晶体管 开关N沟道功率MOS FET工业用途 低通态电阻 低Ciss 内置G-S栅的法律保护二极管 高雪崩能力评级 |
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