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2SD2212 T100R
 型号：  2SD2212 T100R
 标记/丝印/代码/打字：  DR
 厂家：  ROHM
 封装：  SOT-89/SC-62/MPT3
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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2SD2212 T100R DR 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 60V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 2A
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 1000~10000
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5V
耗散功率Pc Power Dissipation 2W
Description & Applications Medium Power Transistor(Motor, Relay drive) (60±10V, 2A) Features 1) Built-in zener diode between collector and base. 2) Strong protection against reverse surges due to "L"loads. 3) Built-in resistor between base and emitter. 4) Built-in damper diode.
描述与应用 中等功率晶体管（电机，继电器驱动器）（60±10V，2A） 特点 1）内置集电极和基极之间的齐纳二极管。 2）强大的保护免受反向浪涌由于负载为“L”。 3）内置基极和发射极之间的电阻。 4）内置阻尼二极管。
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