2SD2216J-QR(K8).SO YR 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100mA/0.1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
150MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
210 ~ 340 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
100mV/0.1V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
125mW/0.125W |
| Description & Applications |
Silicon NPN epitaxial planer type For general amplification Complementary to 2SB1462J Features ? High forward current transfer ratio hFE ? Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) |
| 描述与应用 |
NPN硅外延平面型 对于一般的放大 互补2SB1462J的 特点 ?高正向电流传输比HFE ?低集电极 - 发射极饱和电压VCE（sat） |
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