2SD2210GRL 1KR 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
25V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
20V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
500mA/0.5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
200MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
200~350 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
130mV/0.13V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
applications Silicon NPN epitaxial planer type *For low-voltage output amplification *For muting *For DC-DC converter Features *Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) *Low ON resistance Ron *High foward current transfer ratio hFE. |
| 描述与应用 |
应用： NPN硅外延平面型 *低电压输出放大 *静音 *用于DC-DC转换器 特点： *低集电极到发射极饱和电压VCE（SAT）低管压降 *低导通电阻Ron *高电流增益HFE。 |
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