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2SC6061
 型号：  2SC6061
 标记/丝印/代码/打字：  WN
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+NOPB
 库存数量：  4
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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2SC6061 WN 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 180V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 120V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 1A
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 120~300
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 140mV/0.14V
耗散功率Pc Power Dissipation 1W
Description & Applications Transistor Silicon NPN Epitaxial Type High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications ?High-DC current gain: hFE = 120 to 300 (IC = 0.1 A) ?Low-collector-emitter saturation: VCE (sat) = 0.14 V (max) ?High-speed switching: tf = 0.2 μs (typ)
描述与应用 晶体管的硅NPN外延型 高速开关应用 DC-DC转换器应用 ·高直流电流增益：HFE=120?300（IC= 0.1 A） ·低集电极 - 发射极饱和：VCE（饱和）= 0.14 V（最大值） ·高速开关：TF=0.2微秒
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