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2SC6026MFV-Y
 型号:  2SC6026MFV-Y
 标记/丝印/代码/打字:  HY
 厂家:  TOSHIBA
 封装:  S0T-723/VESM
 批号:  11/12+ROHS
 库存数量:  176000
 所属分类:  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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2SC6026MFV-Y HY 的参数

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 150mA/0.15A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 60MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 120~240
管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage 100mV/0.1V
耗散功率Pc Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications Transistor Silicon NPN Epitaxial Type General-Purpose Amplifier Applications ? High voltage and high current : VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max) ? Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) ? High hFE : hFE = 120~400
描述与应用 晶体管的硅NPN外延型 通用放大器应用 ?高电压和高电流 VCEO=50 V,IC=150 mA(最大) ?优秀的HFE线性: ????????????HFE(IC= 0.1毫安)/ HFE(IC= 2毫安)= 0.95 ?高HFE:HFE=120?400
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