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2SC6046
 型号:  2SC6046
 标记/丝印/代码/打字:  BW
 厂家:  MITSUBISHI
 封装:  SOT-23/SC-59
 批号:  05+07NOPB
 库存数量:  5800
 所属分类:  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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2SC6046 BW 的参数

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 75V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 40V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 600mA/0.6A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 250MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 100~300
管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage 300mV/0.3V
耗散功率Pc Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications FOR GENERAL PURPOSE HIGH CURRENT DRIVE APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION 2SC6046 is a silicon NPN epitaxial type transistor designed with high collector current, low VCE(sat). FEATURE ●High collector current IC(MAX) =600mA ●Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) <0.3Vmax (IC=150mA、IB=15mA) APPLICATION switching application, small type motor drive application.
描述与应用 通用的高电流驱动应用 硅NPN外延型 说明 2SC6046硅NPN外延型晶体管设计 高集电极电流,低VCE(SAT)。 特写 ●高集电极电流 集成电路(MAX) =600毫安 ●低集电极到发射极饱和电压 VCE(sat)的 <0.3Vmax (IC =的150mA,IB=15毫安) 应用 开关应用中,小型电机驱动应用。
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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