2SC4548E CNE 的参数 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
400V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
400V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
200mA/0.2A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
70HMz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~200 |
管压降VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.6V~1V |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
1.3W |
Description & Applications |
PNP/NPN Epitaxial planar Silicon transistor High-Voltage Driver Applications High breakdown voltage adoption of MBIT process Excellent hFE linearrity |
描述与应用 |
PNP/ NPN外延平面硅晶体管 高电压驱动器应用 高击穿电压 采用MBIT过程 优秀的hFE线性 |
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