2SC4548D CND 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
400V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
400V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
200mA/0.2A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
70HMz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
60~120 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.6V~1V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
1.3W |
| Description & Applications |
PNP/NPN Epitaxial planar Silicon transistor High-Voltage Driver Applications High breakdown voltage adoption of MBIT process Excellent hFE linearrity |
| 描述与应用 |
PNP/ NPN外延平面硅晶体管 高电压驱动器应用 高击穿电压 采用MBIT过程 优秀的hFE线性 |
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