2SC4540 KC 的参数 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
80V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
120~400 |
管压降VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage |
500mV/0.5V |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
500mW/0.5W |
Description & Applications |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) power amplifier applications power switching applications Low Saturation Voltage High Speed Switching Time Small Flat Package Pc=1-2W |
描述与应用 |
东芝晶体管的硅NPN外延式(PCT的进程) 功率放大器应用 电源开关的应用 低饱和电压 高速开关时间 小型扁平封装 PC= 1-2W |
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