2SJ360 Z8 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
±20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-1A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.86Ω~1.2Ω@VGS=??4V,ID=??0.5 A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.8V~-2V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L2??π??MOSV)
High Speed, High current Switching Applications。
Chopper Regulator, DC??DC Converter and Motor Drive Applications 。
* 4-V gate drive
* Low drain??source ON resistance : RDS (ON) = 0.55 Ω (typ.)
* High forward transfer admittance : |Yfs| = 0.9 S (typ.)
* Low leakage current : IDSS = ??100 μA (max) (VDS = ??60 V)
* Enhancement mode : Vth = ??0.8 to ??2.0 V (VDS = ??10 V, ID = ??1 mA) |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型（L2-π-MOSV）
高速，高电流开关应用。
斩波稳压器，DC-DC转换器和电机驱动应用。
*4-V栅极驱动
*低漏源导通电阻RDS（ON）= 0.55Ω（典型值）
*较强的正向转移导纳：YFS| =0.9 S（典型值）
*低漏电流IDSS=-100μA（最大值）（VDS=-60V）
*增强模式：VTH= -0.8到-2.0 V（VDS= -10 V，ID=-1毫安） |
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