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2SJ361RYTR
 型号:  2SJ361RYTR
 标记/丝印/代码/打字:  RY
 厂家:  HITACHI
 封装:  SOT-89/SC-62/UPAK
 批号:  05+
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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2SJ361RYTR RY 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current -2A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.28Ω @1A,-10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage -0.5--1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 1W
Description & Applications High speed power switching Features ? Low on-resistance ? High speed switching ? Low drive current ? 2.5 V gate drive device can be driven from 3 V source
描述与应用 高速功率开关 特性 ?低导通电阻 ?高速开关 ?低驱动电流 ?2.5 V门驱动装置可以驱动从3 V源
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