2SC6126 4M 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
120V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
3A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
|
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~400 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.18V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
1.0~2.5W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type.
High-Speed Switching Applications.
DC-DC Converter Applications.
LCD Backlighting Applications.
*High DC current gain: hFE = 250 to 400 (IC= 0.3 A).
* Low collector-emitter saturation: VCE(sat) = 0.18 V (max).
* High-speed switching: tf = 40 ns (typ.). |
| 描述与应用 |
东芝晶体管NPN硅外延型。
高速开关应用。
DC-DC转换器应用。
LCD背光应用。
*高直流电流增益：HFE=250〜400（IC= 0.3 A）。
*低集电极 - 发射极饱和：VCE（星期六）= 0.18 V（最大值）。
*高速开关：TF=40 ns（典型值）。 |
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