2SC6125 4L 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
40V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
20V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
4A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
|
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
180~390 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
200mV/0.2V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
Silicon NPN epitaxial type High-Speed Switching Applications Power Amplifier Applications features ? High DC current gain: hFE = 180 to 390 (IC = 0.5A) ? Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.2 V (max) ? High-speed switching: tf = 15 ns (typ.) |
| 描述与应用 |
NPN硅外延型 高速开关应用 功率放大器应用 特点 ?高直流电流增益：HFE=180?390（IC=0.5A） ?低集电极 - 发射极饱和电压VCE（饱和）=0.2 V（最大值） ?高速开关：TF =15 ns |
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