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IRLR014TRLPBF
 型号:  IRLR014TRLPBF
 标记/丝印/代码/打字:  LR014
 厂家:  VISHAY
 封装:  TO-252/D-PAK
 批号:  11+ROHS
 库存数量:  0
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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IRLR014TRLPBF LR014 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 10V
最大漏极电流Id Drain Current 7.7A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.20Ω/Ohm 24.6A,5.0V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 1.0-2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 25W
Description & Applications Third generation power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRLU, SiHLU series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W are possible in typical surface mount applications. ? Dynamic dV/dt Rating ? Surface Mount (IRLR014, SiHLR014) ? Straight Lead (IRLU014, SiHLU014) ? Available in Tape and Reel ? Logic-Level Gate Drive ? RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V ? Fast Switching ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
描述与应用 第三代功率MOSFET提供从威世设计师与快速切换的最佳组合,坚固耐用的设备设计, 低导通电阻和成本效益。 该DPAK是专为表面安装使用蒸汽 相,红外线,或波峰焊技术。 直导致通孔版本(IRLU,SiHLU系列) 安装应用程序。功耗水平,直至1.5 W 典型的表面贴装应用中是可能的。 ?动态dV / dt额定值 ?表面贴装(IRLR014 SiHLR014) ?直铅(IRLU014 SiHLU014) ?可在磁带和卷轴 ?逻辑电平栅极驱动 ?RDS(对) 指定在VGS= 4 V和5V ?快速开关 ?符合RoHS指令2002/95/EC
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IRLR3103TR LR3103 IR 03+ TO252 1000 场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel 查看

 

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