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IRLR014TRLPBF LR014 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
10V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
7.7A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.20Ω/Ohm 24.6A,5.0V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1.0-2.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
25W |
| Description & Applications |
Third generation power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight lead version (IRLU, SiHLU series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W are possible in typical surface mount applications. ? Dynamic dV/dt Rating ? Surface Mount (IRLR014, SiHLR014) ? Straight Lead (IRLU014, SiHLU014) ? Available in Tape and Reel ? Logic-Level Gate Drive ? RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V ? Fast Switching ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC |
| 描述与应用 |
第三代功率MOSFET提供从威世设计师与快速切换的最佳组合，坚固耐用的设备设计， 低导通电阻和成本效益。 该DPAK是专为表面安装使用蒸汽 相，红外线，或波峰焊技术。 直导致通孔版本（IRLU，SiHLU系列） 安装应用程序。功耗水平，直至1.5 W 典型的表面贴装应用中是可能的。 ?动态dV / dt额定值 ?表面贴装（IRLR014 SiHLR014） ?直铅（IRLU014 SiHLU014） ?可在磁带和卷轴 ?逻辑电平栅极驱动 ?RDS（对） 指定在VGS= 4 V和5V ?快速开关 ?符合RoHS指令2002/95/EC |
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在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| IRLR2305 |
LR2305 |
IR |
05+ |
TO-252/D-PAK |
20 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| IRLR3410TRR |
LR3410 |
IR |
05+ |
TO-252/D-PAK |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| IRLR3714 |
LR3714 |
IR |
05+ |
TO-252/D-PAK |
10000 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| IRLR7821TR |
LR7821 |
IR |
05+ |
TO-252/D-PAK |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| IRLR8103VTR |
LR8103V |
IR |
05+ |
TO-252/D-PAK |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| IRLR014TRLPBF |
LR014 |
VISHAY |
11+ROHS |
TO-252/D-PAK |
3000 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| IRLR014TRLPBF |
LR014 |
VISHAY |
11+ROHS |
TO-252/D-PAK |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| IRLR3103TR |
LR3103 |
IR |
03+ |
TO252 |
1000 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
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