ECH8605 JD 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-4A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
120m?@ VGS = -4V, ID = -1A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1~-2.4V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.3W |
| Description & Applications |
P-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications Features ? Low ON-resistance. ? Ultrahigh-speed switching ?4V drive. |
| 描述与应用 |
P-沟道硅MOSFET 超高速开关应用 特点 ?低导通电阻。 ?超高速开关 ?4V驱动器。 |
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