NESG2031M05-T1-A T1H 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
13V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
5V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100mA/0.1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
14Mhz~17Mhz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
130~260 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
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| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
175mW/0.175W |
| Description & Applications |
?NEC's NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR HIGH BREAKDOWN VOLTAGE SiGe TECHNOLOGY VCEO = 5 V (Absolute Maximum) ? HIGH OUTPUT POWER: P1dB = 21 dBm at 2 GHz ? LOW NOISE FIGURE: NF = 0.9 dBm at 2 GHz ? HIGH MAXIMUM STABLE POWER GAIN: MSG = 17 dB at 2 GHz ? LOW PROFILE M05 PACKAGE: SOT-343 footprint, with a height of only 0.59 mm Flat lead style for better RF performance |
| 描述与应用 |
?NEC的NPN硅锗高频三极管 高击穿电压的SiGe技术 ?????VCEO= 5 V（绝对最大值） ?高输出功率： ?????的P1dB=21 dBm的在2 GHz ?低噪声系数： ????NF= 0.9 dBm的在2 GHz ?最大稳定功率增益： ?????味精= 17分贝在2 GHz ?超薄M05包装： ?????SOT-343的足迹，与仅为0.59毫米的高度 ????单位领导风格更好RF性能 |
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