nesg2021m05-t1 T1G 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
13V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
5V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
35mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
20Mhz~25Mhz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
130~260 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
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| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
175mW/0.175W |
| Description & Applications |
?NEC's NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRANSISTOR HIGH BREAKDOWN VOLTAGE SiGe TECHNOLOGY VCEO = 5 V (Absolute Maximum) ? LOW NOISE FIGURE: NF = 0.9 dB at 2 GHz NF = 1.3 dB at 5.2 GHz ? HIGH MAXIMUM STABLE GAIN: MSG = 22.5 dB at 2 GHz ? LOW PROFILE M05 PACKAGE: SOT-343 footprint, with a height of only 0.59 mm Flat lead style for better RF performance ? Pb Free |
| 描述与应用 |
?NEC的NPN硅锗高频三极管 高击穿电压的SiGe技术 VCEO= 5 V（绝对最大值） ?低噪声系数： NF= 0.9 dB，在2吉赫 ?NF= 1.3 dB，在5.2 GHz的 ?最大稳定增益： MSG =22.5分贝在2 GHz ?超薄M05包装： SOT-343的足迹，与仅为0.59毫米的高度 ?单位领导风格更好RF性能 ?无铅 |
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