BFG17A EG 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
25V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
15V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
50mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
2.8GHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
20?150 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
|
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
300mW/0.3W |
| Description & Applications |
? NPN 3 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPN wideband transistor in a microminiature plastic SOT143 surface mounting envelope with double emitter bonding. It is intended for use in wideband aerial amplifiers using SMD technology. |
| 描述与应用 |
NPN3 GHz的宽带晶体管 说明 NPN宽带晶体管在 超小型塑料SOT143 表面安装信封 双发射粘接。 它的目的是用于在宽带 天线放大器采用SMD 技术。 |
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