MTM86227 PK 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
10V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
2.2A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.105Ω/Ohm @4A,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.4-1.3V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
540mW/0.54W |
| Description & Applications |
? Avalanche Energy Specified ? Source–to–Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode ? Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits ? IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature ? Replaces MTD6N10 |
| 描述与应用 |
?雪崩能量 ?源漏二极管恢复时间等同于 离散快速恢复二极管 ?二极管的特点是桥电路中使用 ?IDSS和VDS（上） 指定高温 ?替换MTD6N10 |
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