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型号: |
MTM861240L |
标记/丝印/代码/打字: |
DM |
厂家: |
Panasonic |
封装: |
SOT-563 |
批号: |
07+NOPB |
库存数量: |
0 |
所属分类: |
场效应管FET MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
技术文档PDF: |
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MTM861240L DM 的参数 |
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
10V |
最大漏极电流Id
Drain Current |
-2A |
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.1Ω @-1A,-4V |
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.4--1.3V |
耗散功率Pd
Power Dissipation |
540mW/0.54W |
Description & Applications |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device |
描述与应用 |
P沟道增强模式 功率MOSFET 简单的驱动要求 小封装 表面贴装设备 |
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相关型号列表 |
型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
MTM861240L |
DM |
Panasonic |
07+NOPB |
SOT-563 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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09+NOPB |
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MTM86227 |
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SOT-563/WSSMin6 |
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MTM861240L |
DM |
Panasonic |
07+ROHS |
SOT-563 |
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场效应管FET |
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