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CPH6619
 型号：  CPH6619
 标记/丝印/代码/打字：  WF
 厂家：  SANYO
 封装：  SOT-163/SOT23-6/CPH6
 批号：  08NOPB
 库存数量：  5500
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel
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CPH6619 WF 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V/-12V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 10V/8V
最大漏极电流Id Drain Current 400mA/-2A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 12.8?@ VGS = 1.5V,ID =10mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.4~1.3V
耗散功率Pd Power Dissipation 800mW/0.8W
Description & Applications N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETS General-Purpose Switching Device Applications Features ? Composite type of a low on-resistance ultra-high switching P-channel MOSFET and a small signal N-channel MOSFET for driving P-channel MOSFET enables high-density mounting. ? Excellent ON-resistance characteristic. ? Best suited for load switches. ? N-channel 1.5V drive, P-channel 1.8V drive.
描述与应用 N沟道和P沟道硅MOSFET 通用开关设备应用 特点 ?复合型驱动P沟道MOSFET的低导通电阻超高开关P沟道MOSFET和一个小信号N沟道MOSFET，使高密度安装。 ?优秀的导通电阻特性。 ?最适合用于负载开关。 ?N沟道，P沟道??1.5V驱动1.8V驱动器。
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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