2SC5662 T2LP ADP 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
20V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
11V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
50mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
3.2GHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
56~180 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
<500mV/0.5V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
High-Frequency Amplifier Transistor Features 1) High transition frequency. (Typ. fT= 1.5GHz) 2) Small rbbí?Cc and high gain. (Typ. 4ps) 3) Small NF. |
| 描述与应用 |
高频晶体管放大器 特点 1）高转换频率。 （典型值英尺=1.5GHz的） 2）小rbbí?CC和高增益。 （典型值4PS） 3）小NF。 |
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