US5U1 U01 的参数 |
| MOSFET 类型
Type |
N沟道 N-Channel |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
1.5A |
| 源漏极导通电阻Rds(on)
Drain-Source On-State Resistance |
240m?@ VGS = 4.5V, ID = 1.5A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.5~1.5V |
| DIODE 类型
Type |
肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes |
| 反向电压Vr
Reverse Voltage |
20V |
| 平均整流电流Io
Average Rectified Current |
500mA/0.5A |
| 最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf) |
0.47V@IF=500mA |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
700mW/0.7W |
| Description & Applications |
2.5V Drive Nch+SBD MOS FET ●Structure Silicon N-channel MOS FET / Schottky barrier diode ●Features 1) Nch MOS FET and schottky barrier diode are put in TUMT5 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. 3) Low voltage drive (2.5V drive). 4) Built-in Low VF schottky barrier diode. ●Applications Switching |
| 描述与应用 |
2.5V驱动N沟道+ SBD MOS FET ●结构 硅N沟道MOS FET/ 肖特基势垒二极管 ●产品特点 1）N沟道MOS场效应管和肖特基势垒二极管 被放在TUMT5包。 2）高速开关，低导通电阻。 3）低电压驱动（2.5V驱动器）。 4）内置低VF肖特基势垒二极管。 ●应用范围 ?交换 |
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