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US5U30
 型号:  US5U30
 标记/丝印/代码/打字:  U30
 厂家:  ROHM
 封装:  SOT-353/SC70-5/TUMT5
 批号:  05+
 库存数量:  4100
 所属分类:  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET+DIODE
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US5U30 U30 的参数

MOSFET 类型 Type P沟道 P-Channel
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current 1A
源漏极导通电阻Rds(on) Drain-Source On-State Resistance 390m?@ VGS =- 4.5V, ID = -1A
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage -0.7~-2.0V
DIODE 类型 Type 肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes
反向电压Vr Reverse Voltage 20V
平均整流电流Io Average Rectified Current 500mA/0.5A
最大正向压降VF Forward Voltage(Vf) 0.47V@IF=500mA
耗散功率Pd Power Dissipation 700mW/0.7W
Description & Applications 2.5V Drive Pch+SBD MOSFET ●Structure Silicon P-channel MOSFET Schottky Barrier DIODE ●Features 1) The US5U30 combines Pch MOSFET with a Schottky barrier diode in a TUMT5 package. 2) Low on-state resistance with fast switching. 3) Low voltage drive(2.5V) 4) Built-in schottky barrier diode has low forward voltage. ●Applications Load switch, DC/DC conversion
描述与应用 2.5V驱动PCH+ SBD MOSFET ●结构 硅P沟道MOSFET 肖特基势垒二极管 ●产品特点 1)US5U30结合了P沟道MOSFET的 肖特基势垒二极管在TUMT5包装。 2)低通态电阻与快速切换。 3)低电压驱动(2.5V) 4)内置的肖特基势垒二极管具有低正向电压。 ●应用范围 ?负载开关,DC/ DC转换
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型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
US5U1 U01 ROHM 05+NOPB2200 SOT-353/SC70-5/TUMT5 20231 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET+DIODE 查看
US5U30 U30 ROHM 05+ SOT-353/SC70-5/TUMT5 4100 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET+DIODE 查看
US5U30 U30 ROHM 05+ SOT-353/SC70-5/TUMT5 0 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET+DIODE 查看
US5U29 U29 ROHM 09NOPB SOT-353/SC70-5/TUMT5 1500 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET+DIODE 查看
US5U2 U02 ROHM 08NOPB SOT-353/SC70-5/TUMT5 5600 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET+DIODE 查看

 

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