US5U30 U30 的参数 |
| MOSFET 类型
Type |
P沟道 P-Channel |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
1A |
| 源漏极导通电阻Rds(on)
Drain-Source On-State Resistance |
390m?@ VGS =- 4.5V, ID = -1A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.7~-2.0V |
| DIODE 类型
Type |
肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes |
| 反向电压Vr
Reverse Voltage |
20V |
| 平均整流电流Io
Average Rectified Current |
500mA/0.5A |
| 最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf) |
0.47V@IF=500mA |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
700mW/0.7W |
| Description & Applications |
2.5V Drive Pch+SBD MOSFET ●Structure Silicon P-channel MOSFET Schottky Barrier DIODE ●Features 1) The US5U30 combines Pch MOSFET with a Schottky barrier diode in a TUMT5 package. 2) Low on-state resistance with fast switching. 3) Low voltage drive(2.5V) 4) Built-in schottky barrier diode has low forward voltage. ●Applications Load switch, DC/DC conversion |
| 描述与应用 |
2.5V驱动PCH+ SBD MOSFET ●结构 硅P沟道MOSFET 肖特基势垒二极管 ●产品特点 1）US5U30结合了P沟道MOSFET的 肖特基势垒二极管在TUMT5包装。 2）低通态电阻与快速切换。 3）低电压驱动（2.5V） 4）内置的肖特基势垒二极管具有低正向电压。 ●应用范围 ?负载开关，DC/ DC转换 |
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