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UPA621TT
 型号：  UPA621TT
 标记/丝印/代码/打字：  WB
 厂家：  NEC
 封装：  SOT-363/SC70-6/TSSOP6/SC-88
 批号：  05+
 库存数量：  1800
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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UPA621TT WB 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current 5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 50m?@ VGS = 4.5V, ID = 2.5A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.5~1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING DESCRIPTION The μPA621TT is a switching device, which can be driven directly by a 2.5 V power source. This device features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on. FEATURES ? 2.5 V drive available ? Low on-state resistance RDS(on)1 = 50 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 2.5 A) RDS(on)2 = 53 mΩ MAX. (VGS = 4.0 V, ID = 2.5 A) RDS(on)3 = 79 mΩ MAX. (VGS = 2.5 V, ID = 2.5 A)
描述与应用 N-沟道MOS场效应晶体管的开关 说明 的μPA621TT是一个开关装置，它可以直接由一个驱动 2.5 V电源。 该器件具有低导通电阻和出色的开关 特性，是适合应用，如电源开关 便携机等。 特点 ?2.5 V驱动器可用 ?低通态电阻 RDS（on）1=50mΩ最大。 （VGS= 4.5 V，ID=2.5 A） RDS（on）=53mΩ最大。 （VGS=4.0 V，ID=2.5 A） RDS（on）=79mΩ最大。 （VGS= 2.5V，ID=2.5 A）
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