SSM6L05FU K4 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V/-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V/12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
400mA/-200mA |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
800m?@ VGS = 4V, ID = 200mA / 3300m?@ VGS = -4V, ID =-100mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.6~1.1V/-0.6~-1.1V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
300mW/0.3W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N/P Channel MOS Type Power Management Switch High Speed Switching Applications Small package Low on resistance Q1: Ron = 0.8 Ω (max) (@VGS = 4 V) Q2: Ron = 3.3 Ω (max) (@VGS = ?4 V) Low gate threshold voltage |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管的硅N/ P沟道MOS类型 电源管理开关 高速开关应用 ？小型封装 ？低阻力Q1：RON =0.8Ω（最大）（@ VGS=4 V） Q2：RON =3.3Ω（最大值）（@ VGS=-4 V） ？低栅极阈值电压 |
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