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SSM6L05FU
 型号：  SSM6L05FU
 标记/丝印/代码/打字：  K4
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-363/SC70-6/UF6
 批号：  06rohs884
 库存数量：  1884
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel
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SSM6L05FU K4 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V/-20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V/12V
最大漏极电流Id Drain Current 400mA/-200mA
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 800m?@ VGS = 4V, ID = 200mA / 3300m?@ VGS = -4V, ID =-100mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.6~1.1V/-0.6~-1.1V
耗散功率Pd Power Dissipation 300mW/0.3W
Description & Applications TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N/P Channel MOS Type Power Management Switch High Speed Switching Applications Small package Low on resistance Q1: Ron = 0.8 Ω (max) (@VGS = 4 V) Q2: Ron = 3.3 Ω (max) (@VGS = ?4 V) Low gate threshold voltage
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅N/ P沟道MOS类型 电源管理开关 高速开关应用 ？小型封装 ？低阻力Q1：RON =0.8Ω（最大）（@ VGS=4 V） Q2：RON =3.3Ω（最大值）（@ VGS=-4 V） ？低栅极阈值电压
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SSM6L05FU K4 TOSHIBA 06rohs884 SOT-363/SC70-6/UF6 1884 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel 查看
SSM6L05FU K4 TOSHIBA 13+rohs SOT-363/SC70-6/UF6 171000 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel 查看
SSM6L09FU K5 TOSHIBA 06+ROHS SOT-363/SC70-6/UF6 17 场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel 查看
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