SSM6J51TU KPC 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-12V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-4A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
54m?@ VGS = -2.5V, ID = -2A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.3~1.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSⅣ) High Current Switching Applications ? Suitable for high-density mounting due to compact package ? Low on-resistance: Ron = 54 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) 85 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) 150mΩ(max) (@VGS = -1.5 V) |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型（U-MOSⅣ） 高电流开关应用 ?适用于高密度安装由于紧凑的封装 ?低导通电阻RON =54MΩ（最大）（@ VGS=-2.5 V） 85毫欧（最大值）（@ VGS=-1.8 V） 150MΩ（最大）（@ VGS=-1.5 V） |
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