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SSM3J09FU
 型号:  SSM3J09FU
 标记/丝印/代码/打字:  DK
 厂家:  TOSHIBA
 封装:  SOT-323/SC70/UFM
 批号:  04nopb
 库存数量:  3000
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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SSM3J09FU DK 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current -0.2A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 2.1Ω @-100mA,-10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage -1.1V--1.8V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications Power Management Switch High Speed Switching Applications Small Package Low on Resistance : Ron = 0.4 ? (max) (@VGS = ?4 V) Ron = 0.6 ? (max) (@VGS = ?2.5 V) Low Gate Threshold Voltage
描述与应用 电源管理开关 高速开关应用 小包装 低导通电阻RON =0.4Ω(最大)(@ VGS=-4 V) 罗恩= 0.6Ω(最大)(@ VGS=-2.5 V) 低栅极阈值电压
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