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SSM3J01F
 型号：  SSM3J01F
 标记/丝印/代码/打字：  DE
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  04+NOPB2800
 库存数量：  13350
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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SSM3J01F DE 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 10V
最大漏极电流Id Drain Current -700mA/-0.7A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 0.3Ω @-350mA,-4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.6V--1.1V
耗散功率Pd Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications High Speed Switching Applications ? Small package ? Low on resistance : Ron = 0.4 ? (max) (VGS = ?4 V) Ron = 0.6 ? (max) (VGS = ?2.5 V) ? Low gate threshold voltage
描述与应用 高速开关应用 ?小型封装 ?低导通电阻RON =0.4Ω（最大值）（VGS=-4 V） RON =0.6Ω（最大值）（VGS=-2.5 V） ?低栅极阈值电压
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