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SI7411DN
 型号:  SI7411DN
 标记/丝印/代码/打字:  7411
 厂家:  VISHAY
 封装:  1212-8
 批号:  05+
 库存数量:  50
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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SI7411DN 7411 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current -11.4A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 15m?@ VGS = -4.5V, ID = -11.4A
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage -0.4V~-1.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 3.6W
Description & Applications P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES - TrenchFET Power MOSFET: 1.8-V Rated -New PowerPAK Package ? Low Thermal Resistance, RthJC ? Low 1.07-mm Profile APPLICATIONS - Load Switch
描述与应用 P沟道20-V(D-S)的MOSFET 特点 - TrenchFET 功率MOSFET - 低热阻,RthJC 应用 - 负载开关
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