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SI2306DS-T1
 型号：  SI2306DS-T1
 标记/丝印/代码/打字：  A6
 厂家：  VISHAY
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  06+3knopb
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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SI2306DS-T1 A6 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流Id Drain Current 3.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.057Ω/Ohm @3.5A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 1V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.25W
Description & Applications N-Channel 30-V (D-S) MOSFET TrenchFET Power MOSFET 100% Rg Tested
描述与应用 N沟道30-V（D-S）的MOSFET 功率MOSFET 100％的Rg测试
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