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SI2302DS
 型号:  SI2302DS
 标记/丝印/代码/打字:  R2
 厂家:  VISHAY
 封装:  SOT-23/SC-59
 批号:  05+
 库存数量:  700
 所属分类:  场效应管FET
  MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel
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SI2302DS R2 的参数

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current 2.8A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 0.115Ω/Ohm @3.1A,2.5V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage 0.65V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.25W
Description & Applications N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET
描述与应用 N沟道1.25-W, 2.5 V MOSFET
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