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SI2302DS A2 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
2.8A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.115Ω/Ohm @3.1A,2.5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.65V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.25W |
| Description & Applications |
N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET |
| 描述与应用 |
N沟道1.25-W， 2.5 V MOSFET |
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在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| SI2302DS |
A2 |
VISHAY |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| SI2302DS |
A2 |
VISHAY |
05+NOPB300 |
SOT-23/SC-59 |
2100 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| SI2302DS |
R2 |
VISHAY |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
700 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
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